Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$2.56
- 10+ adet$2.42
- 100+ adet$2.28
- 500+ adet$2.15
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Refresh Cycles
- 4096
- JESD-609 Kodu
- e1
- Sequential Burst Length
- 1248FP
- Access Time
- 5.4ns
- Nominal Supply Current
- 70mA
- Supply Voltagemin Vsup
- 3V
- Reverse Pinout
- NO
- Pin Sayısı
- 54
- Terminal Sayısı
- 54
- Interleaved Burst Length
- 1248
- ECCN Kodu
- EAR99
- Memory Format
- DRAM
- Organization
- 4MX16
- Additional Feature
- AUTO/SELF REFRESH
- Clock Frequency
- 143MHz
- Density
- 64 Mb
- Number Of Ports
- 1
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Address Bus Width
- 14b
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Memory Size
- 64Mb 4M x 16
- Self Refresh
- YES
- Besleme Gerilimi
- 3V~3.6V
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Yükseklik
- 1.2mm
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Memory Interface
- Parallel
- Data Bus Width
- 16b
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Pin Sayısı
- 54
- Io Type
- COMMON
- Ambalaj
- Tray
- Usage Level
- Industrial grade
- Manufacturer Package Identifier
- TF-BGA-54-8000X8000DE
- Uzunluk
- 8mm
- Memory Width
- 16
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory