Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$1.92
- 10+ adet$1.81
- 100+ adet$1.71
- 500+ adet$1.62
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Sequential Burst Length
- 1248FP
- Io Type
- COMMON
- Pin Sayısı
- 54
- Refresh Cycles
- 4096
- Access Time
- 4.8ns
- Ambalaj
- Tray
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Terminal Sayısı
- 54
- Uzunluk
- 22.22mm
- Interleaved Burst Length
- 1248
- Supply Voltagemin Vsup
- 3V
- Usage Level
- Commercial grade
- Nominal Supply Current
- 110mA
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Pin Sayısı
- 54
- Reverse Pinout
- NO
- Additional Feature
- AUTO/SELF REFRESH
- Organization
- 4MX16
- Density
- 64 Mb
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Memory Width
- 16
- Clock Frequency
- 200MHz
- ECCN Kodu
- EAR99
- Memory Format
- DRAM
- Kılıf / Paket
- 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Number Of Ports
- 1
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Self Refresh
- YES
- Address Bus Width
- 14b
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Memory Size
- 64Mb 4M x 16
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Montaj
- Surface Mount
- Besleme Gerilimi
- 3V~3.6V
- Memory Interface
- Parallel
- Memory Types
- Volatile
- Data Bus Width
- 16b
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory