Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Memory Size
- 256Mb 16M x 16
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G54
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Besleme Gerilimi
- 3V~3.6V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Memory Types
- Volatile
- Memory Interface
- Parallel
- Memory Density
- 268435456 bit
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Yüzey Montaj
- YES
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Parça Durumu
- Active
- JESD-609 Kodu
- e3
- Ambalaj
- Tray
- Access Time
- 5.4ns
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 10
- Genişlik
- 10.16mm
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Terminal Sayısı
- 54
- Uzunluk
- 22.22mm
- Usage Level
- Industrial grade
- Supply Voltagemin Vsup
- 3V
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Organization
- 16MX16
- Additional Feature
- PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH
- Memory Width
- 16
- Clock Frequency
- 143MHz
- ECCN Kodu
- EAR99
- Memory Format
- DRAM
- HTS Kodu
- 8542.32.00.24
- Kılıf / Paket
- 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Number Of Ports
- 1
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory