Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$6.92
- 10+ adet$6.53
- 100+ adet$6.16
- 500+ adet$5.81
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G48
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- Ambalaj
- Tray
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Memory Interface
- Parallel
- Organization
- 512MX8
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Uzunluk
- 18.4mm
- Memory Size
- 4Gb 512M x 8
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Kılıf / Paket
- 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
- Memory Format
- FLASH
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Memory Types
- Non-Volatile
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- JESD-609 Kodu
- e3
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Memory Width
- 8
- Programming Voltage
- 3.3V
- Genişlik
- 12mm
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Yüzey Montaj
- YES
- Terminal Sayısı
- 48
- Memory Density
- 4294967296 bit
- Terminal Adımı
- 0.5mm
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Write Cycle Time Word Page
- 25ns
- Parça Durumu
- Active
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory