Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Parallelserial
- SERIAL
- Memory Types
- Non-Volatile
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 0.8mm
- Parça Durumu
- Active
- Jesd30 Code
- R-PDSO-N8
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.65V
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Kılıf / Paket
- 8-WDFN Exposed Pad
- Write Cycle Time Word Page
- 800μs
- Memory Width
- 8
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Memory Density
- 67108864 bit
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Genişlik
- 5mm
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~105°C TA
- Yüzey Montaj
- YES
- Memory Size
- 64Mb 8M x 8
- Terminal Sayısı
- 8
- Uzunluk
- 6mm
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Memory Interface
- SPI - Quad I/O, QPI, DTR
- Besleme Gerilimi
- 1.65V~1.95V
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- JESD-609 Kodu
- e3
- Clock Frequency
- 133MHz
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Memory Format
- FLASH
- Ambalaj
- Tray
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Programming Voltage
- 1.8V
- Organization
- 8MX8
- Supply Voltagemax Vsup
- 1.95V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory

