+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
IS25LQ512B-JNLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LQ512B-JNLE

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Ambalaj
Tube
Operating Mode
SYNCHRONOUS
Programming Voltage
3V
Memory Format
FLASH
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
Organization
512KX1
JESD-609 Kodu
e3
Terminal Kaplaması
Tin (Sn)
Clock Frequency
104MHz
Terminal Pozisyonu
DUAL
Interface
SPI, Serial
Besleme Gerilimi
3V
Terminal Sayısı
8
Uzunluk
4.9mm
Besleme Gerilimi
2.3V~3.6V
Memory Interface
SPI - Quad I/O
Genişlik
3.9mm
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~105°C TA
Memory Size
512Kb 64K x 8
Yüzey Montaj
YES
Pin Sayısı
8
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Memory Width
1
Fonksiyon Sayısı
1
Fabrika Tedarik Süresi
8 Weeks
Kılıf / Paket
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Write Cycle Time Word Page
800μs
Montaj Tipi
Surface Mount
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
10
Supply Voltagemin Vsup
2.3V
Terminal Adımı
1.27mm
Maks. Oturma Yüksekliği
1.75mm
Memory Types
Non-Volatile
Parça Durumu
Active

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek