Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Parallelserial
- SERIAL
- Memory Types
- Non-Volatile
- Access Time
- 8 ns
- Parça Durumu
- Active
- Montaj
- Surface Mount
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.3V
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Write Cycle Time Word Page
- 800μs
- Memory Width
- 1
- Pin Sayısı
- 8
- Yükseklik
- 1.75mm
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~105°C TA
- Memory Size
- 4Mb 512K x 8
- Density
- 4 Mb
- Page Size
- 256B
- Terminal Sayısı
- 8
- Uzunluk
- 4.9mm
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Address Bus Width
- 24b
- Memory Interface
- SPI - Quad I/O
- Besleme Gerilimi
- 2.3V~3.6V
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- JESD-609 Kodu
- e3
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Interface
- SPI
- Clock Frequency
- 104MHz
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Memory Format
- FLASH
- Ambalaj
- Bulk
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Programming Voltage
- 3V
- Organization
- 4MX1
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory