Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Types
- Non-Volatile
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 0.8mm
- Parça Durumu
- Active
- Jesd30 Code
- R-PDSO-N8
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.3V
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Write Cycle Time Word Page
- 800μs
- Kılıf / Paket
- 8-WDFN Exposed Pad
- Memory Width
- 1
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- HTS Kodu
- 8542.32.00.51
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Memory Density
- 4194304 bit
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~105°C TA
- Genişlik
- 5mm
- Yüzey Montaj
- YES
- Memory Size
- 4Mb 512K x 8
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Terminal Sayısı
- 8
- Uzunluk
- 6mm
- Memory Interface
- SPI - Quad I/O
- Besleme Gerilimi
- 2.3V~3.6V
- Interface
- SPI, Serial
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Clock Frequency
- 104MHz
- Memory Format
- FLASH
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Programming Voltage
- 3V
- Ambalaj
- Tube
- Organization
- 4MX1
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory