Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Memory Format
- FLASH
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Programming Voltage
- 3V
- Operating Supply Voltage
- 3V
- Interface
- SPI, Serial
- Alternate Memory Width
- 1
- Clock Frequency
- 133MHz
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- JESD-609 Kodu
- e3
- Memory Interface
- SPI - Quad I/O, QPI
- Besleme Gerilimi
- 2.3V~3.6V
- Density
- 128 Mb
- Page Size
- 256B
- Terminal Sayısı
- 8
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Address Bus Width
- 24b
- Yüzey Montaj
- YES
- Memory Size
- 128Mb 16M x 8
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~105°C TA
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Additional Feature
- SEATED HGT-CALCULATED
- Memory Width
- 8
- Pin Sayısı
- 8
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Kılıf / Paket
- 8-WDFN Exposed Pad
- Write Cycle Time Word Page
- 1ms
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 10
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Parça Durumu
- Active
- Memory Types
- Non-Volatile
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory