Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Size
- 8Mb 1M x 8
- Yüzey Montaj
- YES
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~105°C TA
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Genişlik
- 5.28mm
- Besleme Gerilimi
- 2.3V~3.6V
- Memory Interface
- SPI - Quad I/O, QPI, DTR
- Uzunluk
- 5.28mm
- Terminal Sayısı
- 8
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Clock Frequency
- 133MHz
- Alternate Memory Width
- 1
- JESD-609 Kodu
- e3
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Organization
- 1MX8
- Programming Voltage
- 3V
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Ambalaj
- Bulk
- Memory Format
- FLASH
- Jesd30 Code
- S-PDSO-G8
- Parça Durumu
- Active
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 2.16mm
- Memory Types
- Non-Volatile
- Parallelserial
- SERIAL
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.3V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Write Cycle Time Word Page
- 800μs
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Memory Density
- 8388608 bit
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Memory Width
- 8
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory