+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
IS25LP016D-JNLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25LP016D-JNLE

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Supply Voltagemax Vsup
3.6V
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Memory Format
FLASH
Memory Types
Non-Volatile
Operating Mode
SYNCHRONOUS
Uzunluk
4.9mm
Fonksiyon Sayısı
1
Terminal Kaplaması
Tin (Sn)
Yüzey Montaj
YES
Clock Frequency
133MHz
Write Cycle Time Word Page
800μs
Genişlik
3.9mm
Memory Density
16777216 bit
Jesd30 Code
R-PDSO-G8
HTS Kodu
8542.32.00.51
Kurşunsuz Kodu
yes
Kılıf / Paket
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Memory Interface
SPI - Quad I/O, QPI, DTR
JESD-609 Kodu
e3
Montaj Tipi
Surface Mount
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Alternate Memory Width
1
Memory Width
8
Maks. Oturma Yüksekliği
1.75mm
Terminal Sayısı
8
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
10
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~105°C TA
Memory Size
16Mb 2M x 8
Supply Voltagemin Vsup
2.3V
Parallelserial
SERIAL
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
260
Parça Durumu
Active
Programming Voltage
3V
Ambalaj
Tube
Besleme Gerilimi
3V
Terminal Pozisyonu
DUAL
Organization
2MX8
Besleme Gerilimi
2.3V~3.6V
Fabrika Tedarik Süresi
8 Weeks
Terminal Adımı
1.27mm

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek