Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Mounting
- Surface Mount
- RoHS
- Details
- Terminal Pozisyonu
- QUAD
- Typical Operating Supply Voltage
- 1.8, 2.5 V
- Architecture
- Flow-Through/Pipelined
- Organization
- 512 k x 18
- Memory Ic Type
- CACHE SRAM
- ECCN Kodu
- 3A991.B.2.B
- Supply Voltagemin
- 1.7 V
- Memory Width
- 18
- Tradename
- SyncBurst
- Ihs Manufacturer
- GSI TECHNOLOGY
- Moisture Sensitivity Levels
- 3
- Part Life Cycle Code
- Active
- Kılıf / Paket
- TQFP-100
- Fabrika Paket Adedi
- 66
- Minimum Operating Supply Voltage
- 1.7, 2.3 V
- Number Of Terminals
- 100
- Jesd30 Code
- R-PQFP-G100
- Memory Types
- SDR
- Seated Heightmax
- 1.6 mm
- Genişlik
- 14 mm
- Reflow Temperaturemax S
- NOT SPECIFIED
- HTS Kodu
- 8542.32.00.41
- Terminal Kaplaması
- PURE MATTE TIN
- Seri
- GS880E18CGT
- Montaj Stili
- SMD/SMT
- Terminal Adımı
- 0.65 mm
- Yüzey Montaj
- YES
- Technology
- CMOS
- Usage Level
- Commercial grade
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 70 C
- Supply Voltagemax Vsup
- 2 V
- Access Time
- 7.5 ns
- Temperature Grade
- COMMERCIAL
- Rohs Code
- Yes
- Number Of Words
- 512 kWords
- Number Of Io Lines
- 18 Bit
- REACH Uyumluluk Kodu
- compliant
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory