+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix

GSI Technology

GS88018CGT-250I

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Data Rate Architecture
SDR
Access Time
5.5 ns
Maks. Çalışma Sıcaklığı
+ 85 C
Usage Level
Industrial grade
Supply Currentmax
165 mA, 200 mA
Maximum Operating Supply Voltage
2.7, 3.6 V
Maximum Clock Rate
181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz
Number Of Words
512 kWords
Number Of Io Lines
18 Bit
Moisture Sensitive
Yes
Supplier Package
TQFP
Density
9 Mbit
Number Of Ports
2
Ambalaj
Tray
Çalışma Sıcaklığı
-40 to 85 °C
Interface Type
Parallel
Pin Sayısı
100
Memory Size
9 Mbit
Organization
512 k x 18
Architecture
Flow-Through/Pipelined
Typical Operating Supply Voltage
2.5, 3.3 V
RoHS
Details
Mounting
Surface Mount
Supply Voltagemax
3.6 V
Tip
Pipeline/Flow Through
Fabrika Paket Adedi
72
Kılıf / Paket
TQFP-100
Tradename
SyncBurst
Supply Voltagemin
2.3 V
Screening Level
Industrial
Memory Types
SDR
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Address Bus Width
19 Bit
Minimum Operating Supply Voltage
2.3, 3 V
Seri
GS88018CGT
Montaj Stili
SMD/SMT
Timing Type
Synchronous
Maximum Clock Frequency
250 MHz
Ürün Tipi
SRAM

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek