+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix

GSI Technology

GS864436E-200I

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Supply Currentmax
295 mA, 380 mA
Number Of Io Lines
36 Bit
Number Of Words
2 MWords
Maximum Operating Supply Voltage
2.7, 3.6 V
Maximum Clock Rate
153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz
Maks. Çalışma Sıcaklığı
+ 85 C
Usage Level
Industrial grade
Data Rate Architecture
SDR
Access Time
6.5 ns
Memory Size
72 Mbit
Interface Type
Parallel
Pin Sayısı
165
Density
72 Mbit
Moisture Sensitive
Yes
Supplier Package
FBGA
Çalışma Sıcaklığı
-40 to 85 °C
Ambalaj
Tray
Number Of Ports
4
Tradename
SyncBurst
Fabrika Paket Adedi
15
Kılıf / Paket
BGA-165
Screening Level
Industrial
Supply Voltagemin
2.3 V
Mounting
Surface Mount
Typical Operating Supply Voltage
2.5, 3.3 V
Architecture
Flow-Through/Pipelined
Organization
2 M x 36
Tip
Synchronous Burst
Supply Voltagemax
3.6 V
Montaj Stili
SMD/SMT
Seri
GS864436E
Ürün Tipi
SRAM
Timing Type
Synchronous
Maximum Clock Frequency
200 MHz
Memory Types
SDR
Minimum Operating Supply Voltage
2.3, 3 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Address Bus Width
21 Bit

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek