Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Risk Rank
- 5.27
- Package Code
- BGA
- Data Rate Architecture
- SDR
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Parallelserial
- PARALLEL
- Fabrika Tedarik Süresi
- 10 Weeks
- Ambalaj
- Tray
- Çalışma Sıcaklığı
- 0 to 85 °C
- Package Description
- BGA,
- Density
- 18 Mbit
- Pin Sayısı
- 119
- Memory Size
- 18 Mbit
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Üretici Parça No
- GS8162Z18DGB-200V
- Package Shape
- RECTANGULAR
- Tip
- NBT Pipeline/Flow Through
- Supply Voltagemax
- 2.7 V
- Screening Level
- Commercial
- Package Style
- GRID ARRAY
- Operating Temperaturemax
- 70 °C
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Minimum Operating Temperature
- 0 C
- Address Bus Width
- 20 Bit
- Additional Feature
- FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY
- Timing Type
- Synchronous
- Maximum Clock Frequency
- 200 MHz
- Ürün Tipi
- SRAM
- Terminal Formu
- BALL
- Access Timemax
- 6.5 ns
- Yüzey Montaj
- YES
- Technology
- CMOS
- Rohs Code
- Yes
- Supply Voltagemax Vsup
- 2 V
- Access Time
- 6.5 ns
- Temperature Grade
- COMMERCIAL
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 70 C
- Usage Level
- Commercial grade
- Maximum Operating Supply Voltage
- 2, 2.7 V
- REACH Uyumluluk Kodu
- compliant
- Maximum Clock Rate
- 153.8@Flow-Through/200@Pipelined MHz
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory