+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix

GSI Technology

GS8161Z36DGT-250V

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Supply Currentmax
225 mA, 245 mA
Montaj Stili
SMD/SMT
Minimum Operating Supply Voltage
1.7, 2.3 V
Pin Sayısı
100
Kılıf / Paket
TQFP-100
Number Of Words
512 kWords
Tip
NBT
Address Bus Width
19 Bit
Memory Types
SDR
Screening Level
Commercial
Organization
512 k x 36
Çalışma Sıcaklığı
0 to 85 °C
Typical Operating Supply Voltage
1.8, 2.5 V
Tradename
NBT SRAM
Seri
GS8161Z36DGT
Density
18 Mbit
Moisture Sensitive
Yes
Supply Voltagemax
2.7 V
Fabrika Paket Adedi
18
Maks. Çalışma Sıcaklığı
+ 70 C
Memory Size
18 Mbit
Interface Type
Parallel
Mounting
Surface Mount
Supply Voltagemin
1.7 V
Data Rate Architecture
SDR
Access Time
5.5 ns
RoHS
Details
Usage Level
Commercial grade
Architecture
Flow-Through/Pipelined
Number Of Io Lines
36 Bit
Supplier Package
TQFP
Maximum Operating Supply Voltage
2, 2.7 V
Minimum Operating Temperature
0 C
Timing Type
Synchronous
Ürün Tipi
SRAM
Maximum Clock Frequency
250 MHz
Number Of Ports
4
Maximum Clock Rate
181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz
Ambalaj
Tray

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek