+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix

GSI Technology

GS8161Z36DD-250V

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Fabrika Paket Adedi
18
Supply Voltagemax
2.7 V
Maks. Çalışma Sıcaklığı
+ 70 C
Moisture Sensitive
Yes
Usage Level
Commercial grade
Architecture
Flow-Through/Pipelined
Number Of Io Lines
36 Bit
Access Time
5.5 ns
RoHS
N
Interface Type
Parallel
Mounting
Surface Mount
Supply Voltagemin
1.7 V
Data Rate Architecture
SDR
Memory Size
18 Mbit
Timing Type
Synchronous
Ürün Tipi
SRAM
Maximum Clock Frequency
250 MHz
Maximum Operating Supply Voltage
2, 2.7 V
Minimum Operating Temperature
0 C
Supplier Package
FBGA
Ambalaj
Tray
Maximum Clock Rate
181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz
Number Of Ports
4
Number Of Words
512 kWords
Pin Sayısı
165
Kılıf / Paket
BGA-165
Supply Currentmax
225 mA, 245 mA
Minimum Operating Supply Voltage
1.7, 2.3 V
Montaj Stili
SMD/SMT
Screening Level
Commercial
Organization
512 k x 36
Address Bus Width
19 Bit
Memory Types
SDR
Tip
NBT
Tradename
NBT SRAM
Typical Operating Supply Voltage
1.8, 2.5 V
Çalışma Sıcaklığı
0 to 85 °C
Density
18 Mbit
Seri
GS8161Z36DD

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek