+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix

GSI Technology

GS8161E36DGD-250IV

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Number Of Io Lines
36 Bit
Architecture
Flow-Through/Pipelined
Usage Level
Industrial grade
Access Time
5.5 ns
RoHS
Details
Data Rate Architecture
SDR
Supply Voltagemin
1.7 V
Mounting
Surface Mount
Interface Type
Parallel
Memory Size
18 Mbit
Supply Voltagemax
2.7 V
Fabrika Paket Adedi
18
Maks. Çalışma Sıcaklığı
+ 85 C
Moisture Sensitive
Yes
Ambalaj
Tray
Number Of Ports
4
Maximum Clock Rate
181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz
Timing Type
Synchronous
Maximum Clock Frequency
250 MHz
Ürün Tipi
SRAM
Maximum Operating Supply Voltage
2, 2.7 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Supplier Package
FBGA
Screening Level
Industrial
Organization
512 k x 36
Address Bus Width
19 Bit
Memory Types
SDR
Tip
DCD Pipeline/Flow Through
Number Of Words
512 kWords
Pin Sayısı
165
Kılıf / Paket
BGA-165
Supply Currentmax
245 mA, 265 mA
Montaj Stili
SMD/SMT
Minimum Operating Supply Voltage
1.7, 2.3 V
Density
18 Mbit
Seri
GS8161E36DGD
Tradename
SyncBurst
Typical Operating Supply Voltage
1.8, 2.5 V
Çalışma Sıcaklığı
-40 to 85 °C

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek