+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix

GSI Technology

GS8161E36DGD-150V

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Data Rate Architecture
SDR
Supply Voltagemin
1.7 V
Mounting
Surface Mount
Interface Type
Parallel
Memory Size
18 Mbit
Number Of Io Lines
36 Bit
Architecture
Flow-Through/Pipelined
Usage Level
Commercial grade
Access Time
7.5 ns
RoHS
Details
Moisture Sensitive
Yes
Supply Voltagemax
2.7 V
Fabrika Paket Adedi
18
Maks. Çalışma Sıcaklığı
+ 70 C
Number Of Ports
4
Maximum Clock Rate
133.3@Flow-Through/150@Pipelined MHz
Ambalaj
Tray
Maximum Operating Supply Voltage
2, 2.7 V
Minimum Operating Temperature
0 C
Supplier Package
FBGA
Timing Type
Synchronous
Ürün Tipi
SRAM
Maximum Clock Frequency
150 MHz
Tip
DCD Pipeline/Flow Through
Screening Level
Commercial
Organization
512 k x 36
Address Bus Width
19 Bit
Memory Types
SDR
Pin Sayısı
165
Kılıf / Paket
BGA-165
Supply Currentmax
175 mA, 190 mA
Montaj Stili
SMD/SMT
Minimum Operating Supply Voltage
1.7, 2.3 V
Number Of Words
512 kWords
Seri
GS8161E36DGD
Density
18 Mbit
Typical Operating Supply Voltage
1.8, 2.5 V
Çalışma Sıcaklığı
0 to 70 °C
Tradename
SyncBurst

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek