+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix

GSI Technology

GS8161E36DD-250V

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Maximum Clock Rate
181.8@Flow-Through/250@Pipelined MHz
Number Of Ports
4
Ambalaj
Tray
Minimum Operating Temperature
0 C
Maximum Operating Supply Voltage
2, 2.7 V
Supplier Package
FBGA
Maximum Clock Frequency
250 MHz
Ürün Tipi
SRAM
Timing Type
Synchronous
Interface Type
Parallel
Data Rate Architecture
SDR
Supply Voltagemin
1.7 V
Mounting
Surface Mount
Memory Size
18 Mbit
Usage Level
Commercial grade
Architecture
Flow-Through/Pipelined
Number Of Io Lines
36 Bit
Access Time
5.5 ns
Moisture Sensitive
Yes
Maks. Çalışma Sıcaklığı
+ 70 C
Fabrika Paket Adedi
18
Supply Voltagemax
2.7 V
Seri
GS8161E36DD
Density
18 Mbit
Typical Operating Supply Voltage
1.8, 2.5 V
Çalışma Sıcaklığı
0 to 70 °C
Tradename
SyncBurst
Tip
DCD Pipeline/Flow Through
Organization
512 k x 36
Screening Level
Commercial
Memory Types
SDR
Address Bus Width
19 Bit
Kılıf / Paket
BGA-165
Pin Sayısı
165
Montaj Stili
SMD/SMT
Minimum Operating Supply Voltage
1.7, 2.3 V
Supply Currentmax
225 mA, 245 mA
Number Of Words
512 kWords

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek