+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix

GSI Technology

GS816118DD-333IV

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Tradename
SyncBurst
Typical Operating Supply Voltage
1.8, 2.5 V
Çalışma Sıcaklığı
-40 to 100 °C
Density
18 Mbit
Seri
GS816118DD
Number Of Words
1 MWords
Kılıf / Paket
BGA-165
Pin Sayısı
165
Montaj Stili
SMD/SMT
Minimum Operating Supply Voltage
1.7, 2.3 V
Supply Currentmax
240 mA, 300 mA
Organization
1 M x 18
Screening Level
Industrial
Memory Types
SDR
Address Bus Width
20 Bit
Tip
Synchronous Burst
Maximum Clock Frequency
333 MHz
Ürün Tipi
SRAM
Timing Type
Synchronous
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Supply Voltage
2, 2.7 V
Supplier Package
FBGA
Ambalaj
Tray
Number Of Ports
2
Maximum Clock Rate
200@Flow-Through/333@Pipelined MHz
Maks. Çalışma Sıcaklığı
+ 100 C
Fabrika Paket Adedi
18
Supply Voltagemax
2.7 V
Moisture Sensitive
Yes
Usage Level
Industrial grade
Architecture
Flow-Through/Pipelined
Number Of Io Lines
18 Bit
Access Time
5 ns
Interface Type
Parallel
Mounting
Surface Mount
Supply Voltagemin
1.7 V
Data Rate Architecture
SDR
Memory Size
18 Mbit

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek