Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Seri
- GS8160E36DGT
- Tradename
- SyncBurst
- Tip
- Pipeline/Flow Through
- Organization
- 512 k x 36
- Memory Types
- SDR
- Kılıf / Paket
- TQFP-100
- Supply Currentmax
- 250 mA, 270 mA
- Montaj Stili
- SMD/SMT
- Ambalaj
- Tray
- Minimum Operating Temperature
- - 40 C
- Maximum Clock Frequency
- 250 MHz
- Ürün Tipi
- SRAM
- Interface Type
- Parallel
- Supply Voltagemin
- 2.3 V
- Memory Size
- 18 Mbit
- Access Time
- 5.5 ns
- RoHS
- Details
- Moisture Sensitive
- Yes
- Supply Voltagemax
- 3.6 V
- Fabrika Paket Adedi
- 36
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 100 C
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory