+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix

GSI Technology

GS8160E36DGT-200IV

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Organization
512 k x 36
Screening Level
Industrial
Memory Types
SDR
Address Bus Width
19 Bit
Tip
DCD Synchronous Burst
Number Of Words
512 kWords
Kılıf / Paket
TQFP-100
Pin Sayısı
100
Minimum Operating Supply Voltage
2.3, 3 V
Montaj Stili
SMD/SMT
Supply Currentmax
225 mA, 230 mA
Density
18 Mbit
Seri
GS8160E36DGT
Tradename
SyncBurst
Typical Operating Supply Voltage
2.5, 3.3 V
Çalışma Sıcaklığı
-40 to 85 °C
Number Of Io Lines
36 Bit
Architecture
Flow-Through/Pipelined
Usage Level
Industrial grade
RoHS
Details
Access Time
6.5 ns
Interface Type
Parallel
Mounting
Surface Mount
Supply Voltagemin
1.7 V
Data Rate Architecture
SDR
Memory Size
18 Mbit
Maks. Çalışma Sıcaklığı
+ 100 C
Fabrika Paket Adedi
18
Supply Voltagemax
2.7 V
Moisture Sensitive
Yes
Ambalaj
Tray
Number Of Ports
4
Maximum Clock Rate
200 MHz
Ürün Tipi
SRAM
Maximum Clock Frequency
200 MHz
Timing Type
Synchronous
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Supply Voltage
2.7, 3.6 V
Supplier Package
TQFP

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek