+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix

GSI Technology

GS8160E36DGT-150V

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Ambalaj
Tray
Maximum Clock Rate
150 MHz
Number Of Ports
4
Maximum Clock Frequency
150 MHz
Ürün Tipi
SRAM
Timing Type
Synchronous
Supplier Package
TQFP
Minimum Operating Temperature
0 C
Maximum Operating Supply Voltage
2.7, 3.6 V
RoHS
Details
Access Time
7.5 ns
Architecture
Flow-Through/Pipelined
Number Of Io Lines
36 Bit
Usage Level
Commercial grade
Memory Size
18 Mbit
Interface Type
Parallel
Mounting
Surface Mount
Data Rate Architecture
SDR
Supply Voltagemin
1.7 V
Maks. Çalışma Sıcaklığı
+ 85 C
Fabrika Paket Adedi
18
Supply Voltagemax
2.7 V
Moisture Sensitive
Yes
Density
18 Mbit
Seri
GS8160E36DGT
Tradename
SyncBurst
Çalışma Sıcaklığı
0 to 70 °C
Typical Operating Supply Voltage
2.5, 3.3 V
Memory Types
SDR
Address Bus Width
19 Bit
Organization
512 k x 36
Screening Level
Commercial
Tip
DCD Synchronous Burst
Number Of Words
512 kWords
Montaj Stili
SMD/SMT
Minimum Operating Supply Voltage
2.3, 3 V
Supply Currentmax
175 mA, 190 mA
Kılıf / Paket
TQFP-100
Pin Sayısı
100

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek