+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix

GSI Technology

GS8160E32DGT-200V

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Density
18 Mbit
Seri
GS8160E32DGT
Tradename
SyncBurst
Typical Operating Supply Voltage
1.8, 2.5 V
Çalışma Sıcaklığı
0 to 70 °C
Organization
512 k x 32
Screening Level
Commercial
Memory Types
SDR
Tip
DCD Synchronous Burst
Number Of Words
512 kWords
Kılıf / Paket
TQFP-100
Pin Sayısı
100
Minimum Operating Supply Voltage
1.7, 2.3 V
Montaj Stili
SMD/SMT
Supply Currentmax
205 mA, 210 mA
Ambalaj
Tray
Maximum Clock Rate
200 MHz
Number Of Ports
4
Maximum Clock Frequency
200 MHz
Ürün Tipi
SRAM
Timing Type
Synchronous
Minimum Operating Temperature
0 C
Maximum Operating Supply Voltage
2, 2.7 V
Supplier Package
TQFP
Usage Level
Commercial grade
Number Of Io Lines
32 Bit
RoHS
Details
Access Time
6.5 ns
Interface Type
Parallel
Mounting
Surface Mount
Supply Voltagemin
1.7 V
Data Rate Architecture
SDR
Memory Size
18 Mbit
Maks. Çalışma Sıcaklığı
+ 85 C
Fabrika Paket Adedi
18
Supply Voltagemax
2.7 V
Moisture Sensitive
Yes

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek