Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Jesd30 Code
- R-PBGA-B64
- Memory Format
- FLASH
- HTS Kodu
- 8542.32.00.71
- Memory Width
- 16
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.4mm
- Programming Voltage
- 3V
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Memory Interface
- Parallel
- Operating Mode
- ASYNCHRONOUS
- Access Time
- 110ns
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Alternate Memory Width
- 8
- Parça Durumu
- Active
- Memory Types
- Non-Volatile
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Yayın Yılı
- 2016
- Memory Density
- 2147483648 bit
- Organization
- 128MX16
- Uzunluk
- 13mm
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Terminal Sayısı
- 64
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Memory Size
- 2Gb 256M x 8 128M x 16
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Ambalaj
- Tray
- Yüzey Montaj
- YES
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Terminal Adımı
- 1mm
- Genişlik
- 11mm
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Seri
- GL-T
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Kılıf / Paket
- 64-LBGA
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory