Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G48
- Memory Format
- FLASH
- Parça Durumu
- Discontinued
- Kılıf / Paket
- 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
- Supply Currentmax
- 0.04mA
- Command User Interface
- YES
- Memory Width
- 16
- Toggle Bit
- NO
- Address Bus Width
- 28b
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Density
- 2 Gb
- Memory Types
- Non-Volatile
- Programming Voltage
- 3V
- JESD-609 Kodu
- e3
- Operating Mode
- ASYNCHRONOUS
- Qualification Status
- Not Qualified
- Memory Interface
- Parallel
- HTS Kodu
- 8542.32.00.51
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Page Size
- 1Kwords
- Organization
- 128MX16
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Standby Currentmax
- 0.00005A
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Write Cycle Time Word Page
- 25ns
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Operating Supply Voltage
- 3V
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Terminal Sayısı
- 48
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Uzunluk
- 18.4mm
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Data Polling
- NO
- Seri
- ML-1
- Sector Size
- 64K
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory