+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
S29PL064J70BAI120

Cypress Semiconductor Corp

S29PL064J70BAI120

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Fonksiyon Sayısı
1
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
30
Memory Width
16
Access Time Max
70 ns
JESD-609 Kodu
e0
Page Size
8words
Toggle Bit
YES
Boot Block
BOTTOM/TOP
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Maks. Oturma Yüksekliği
1mm
Standby Currentmax
0.000005A
Command User Interface
YES
Pin Sayısı
48
Supply Currentmax
0.07mA
Data Polling
YES
Memory Size
64Mb 4M x 16
Terminal Adımı
0.8mm
Power Supplies
3/3.3V
Common Flash Interface
YES
Kılıf / Paket
48-VFBGA
Memory Interface
Parallel
Programming Voltage
3V
Montaj Tipi
Surface Mount
Ambalaj
Tray
Memory Density
67108864 bit
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Besleme Gerilimi
3V
Write Cycle Time Word Page
70ns
Memory Types
Non-Volatile
Parça Durumu
Obsolete
Seri
PL-J
Qualification Status
Not Qualified
Terminal Sayısı
48
Organization
4MX16
Yayın Yılı
2013
Number Of Sectorssize
16126
Uzunluk
8.15mm
Supply Voltagemax Vsup
3.6V

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek