+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
S29GL512T11DHV010

Cypress Semiconductor Corp

S29GL512T11DHV010

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
Alternate Memory Width
8
Terminal Sayısı
64
Parça Durumu
Active
Seri
GL-T
Write Cycle Time Word Page
60ns
Memory Types
Non-Volatile
Besleme Gerilimi
3V
Access Time
110ns
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Memory Density
536870912 bit
HTS Kodu
8542.32.00.51
Programming Voltage
2.7V
Montaj Tipi
Surface Mount
Ambalaj
Tray
Genişlik
9mm
Kılıf / Paket
64-LBGA
Memory Interface
Parallel
Fabrika Tedarik Süresi
13 Weeks
Memory Format
FLASH
Operating Mode
ASYNCHRONOUS
Terminal Adımı
1mm
Memory Size
512Mb 64M x 8
Yüzey Montaj
YES
Pin Sayısı
64
Maks. Oturma Yüksekliği
1.4mm
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Uzunluk
9mm
Memory Width
16
Organization
32MX16
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~105°C TA
Fonksiyon Sayısı
1

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek