+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
S29GL512T11DHB010

Cypress Semiconductor Corp

S29GL512T11DHB010

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
NOT SPECIFIED
Memory Width
16
Temperature Grade
INDUSTRIAL
Fonksiyon Sayısı
1
Organization
32MX16
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Uzunluk
9mm
Usage Level
Automotive grade
Access Time Max
110 ns
Operating Temperature Min
-40°C
Yüzey Montaj
YES
Terminal Adımı
1mm
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Maks. Oturma Yüksekliği
1.4mm
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
Screening Level
AEC-Q100
Operating Mode
ASYNCHRONOUS
Fabrika Tedarik Süresi
13 Weeks
Programming Voltage
2.7V
Ambalaj
Tray
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
NOT SPECIFIED
Genişlik
9mm
Besleme Gerilimi
3V
Jesd30 Code
S-PBGA-B64
Additional Feature
CAN ALSO BE ORGANISED AS 512MX1
HTS Kodu
8542.32.00.51
Memory Density
536870912 bit
Operating Temperature Max
105°C
Parça Durumu
Active
Parallelserial
PARALLEL
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
Terminal Sayısı
64
Memory Ic Type
FLASH
Terminal Formu
BALL
Alternate Memory Width
8

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek