Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Organization
- 32MX16
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Yayın Yılı
- 2015
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Memory Width
- 16
- JESD-609 Kodu
- e1
- Uzunluk
- 13mm
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.4mm
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Terminal Adımı
- 1mm
- Memory Size
- 512Mb 64M x 8
- Terminal Kaplaması
- Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Yüzey Montaj
- YES
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Memory Format
- FLASH
- Operating Mode
- ASYNCHRONOUS
- Genişlik
- 11mm
- Kılıf / Paket
- 64-LBGA
- Memory Interface
- Parallel
- Programming Voltage
- 2.7V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Ambalaj
- Tray
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Access Time
- 100ns
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Memory Density
- 536870912 bit
- HTS Kodu
- 8542.32.00.51
- Jesd30 Code
- R-PBGA-B64
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Write Cycle Time Word Page
- 60ns
- Memory Types
- Non-Volatile
- Parça Durumu
- Active
- Seri
- GL-T
- Alternate Memory Width
- 8
- Terminal Sayısı
- 64
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory