+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
S29GL512S11FHB023

Cypress Semiconductor Corp

S29GL512S11FHB023

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Besleme Gerilimi
3V
Access Time
110ns
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Memory Density
536870912 bit
HTS Kodu
8542.32.00.51
Montaj Tipi
Surface Mount
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
NOT SPECIFIED
Programming Voltage
3V
Genişlik
11mm
Memory Interface
Parallel
Kılıf / Paket
64-LBGA
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Terminal Sayısı
64
Seri
GL-S
Parça Durumu
Active
Write Cycle Time Word Page
60ns
Memory Types
Non-Volatile
Usage Level
Automotive grade
Uzunluk
13mm
Memory Width
8
Yayın Yılı
2017
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
NOT SPECIFIED
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Fonksiyon Sayısı
1
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~105°C TA
Fabrika Tedarik Süresi
13 Weeks
Operating Mode
ASYNCHRONOUS
Screening Level
AEC-Q100
Memory Format
FLASH
Terminal Adımı
1mm
Memory Size
512Mb 32M x 16
Yüzey Montaj
YES
Pin Sayısı
64
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
Maks. Oturma Yüksekliği
1.4mm
Terminal Pozisyonu
BOTTOM

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek