+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
S29GL512S11DHV010

Cypress Semiconductor Corp

S29GL512S11DHV010

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Fabrika Tedarik Süresi
16 Weeks
Power Supplies
3/3.3V
Memory Size
512Mb 32M x 16
Data Polling
YES
Terminal Adımı
1mm
Pin Sayısı
64
Command User Interface
YES
Standby Currentmax
0.0002A
Maks. Oturma Yüksekliği
1.4mm
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Boot Block
BOTTOM/TOP
Toggle Bit
YES
Page Size
16words
Memory Width
16
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Fonksiyon Sayısı
1
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~105°C TA
Terminal Sayısı
64
Qualification Status
Not Qualified
Seri
GL-S
Parça Durumu
Active
Memory Types
Non-Volatile
Write Cycle Time Word Page
60ns
Besleme Gerilimi
3V
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Access Time
110ns
Montaj
Surface Mount
Ambalaj
Tray
Density
512 Mb
Montaj Tipi
Surface Mount
Programming Voltage
2.7V
Word Size
16b
Memory Interface
Parallel
Kılıf / Paket
64-LBGA
Common Flash Interface
YES
Memory Format
FLASH
Sector Size
64K
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
Uzunluk
9mm
Number Of Sectorssize
512

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek