+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
S29GL512S11DHIV10

Cypress Semiconductor Corp

S29GL512S11DHIV10

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Reach Svhc
No SVHC
Power Supplies
3/3.3V
Fabrika Tedarik Süresi
13 Weeks
Terminal Adımı
1mm
Memory Size
512Mb 32M x 16
Data Polling
YES
Pin Sayısı
64
Command User Interface
YES
Maks. Oturma Yüksekliği
1.4mm
Data Bus Width
16b
Standby Currentmax
0.0001A
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Boot Block
BOTTOM/TOP
Toggle Bit
YES
JESD-609 Kodu
e1
Page Size
32B
Memory Width
8
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
40
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Fonksiyon Sayısı
1
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Radyasyon Dayanımı
No
Terminal Sayısı
64
Seri
GL-S
Parça Durumu
Active
Write Cycle Time Word Page
60ns
Memory Types
Non-Volatile
Besleme Gerilimi
3V
Besleme Gerilimi
1.65V~3.6V
Access Time
110ns
Montaj
Surface Mount
Density
512 Mb
Ambalaj
Tray
Montaj Tipi
Surface Mount
Programming Voltage
2.7V
Word Size
16b
Memory Interface
Parallel
Common Flash Interface
YES
Kılıf / Paket
64-LBGA
Memory Format
FLASH

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek