+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
S29GL512S11DHI010

Cypress Semiconductor Corp

S29GL512S11DHI010

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Memory Size
512Mb 32M x 16
Terminal Adımı
1mm
Data Polling
YES
Supply Currentmax
0.08mA
Yüzey Montaj
YES
Standby Currentmax
0.0001A
Maks. Oturma Yüksekliği
1.4mm
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
Command User Interface
YES
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Power Supplies
3/3.3V
Fabrika Tedarik Süresi
13 Weeks
Sector Size
64K
Memory Format
FLASH
Operating Mode
ASYNCHRONOUS
Yayın Yılı
2011
Memory Width
8
ECCN Kodu
3A991.B.1.A
Organization
64MX8
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Fonksiyon Sayısı
1
Number Of Sectorssize
512
Toggle Bit
YES
Uzunluk
9mm
Page Size
16words
Parça Durumu
Active
Qualification Status
Not Qualified
Seri
GL-S
Memory Types
Non-Volatile
Write Cycle Time Word Page
60ns
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
Terminal Sayısı
64
Programming Voltage
2.7V
Montaj Tipi
Surface Mount
Ambalaj
Tray
Genişlik
9mm
Common Flash Interface
YES
Kılıf / Paket
64-LBGA

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek