+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
S29GL512S10FHI010

Cypress Semiconductor Corp

S29GL512S10FHI010

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Programming Voltage
3V
Ambalaj
Tray
Density
512 Mb
Montaj Tipi
Surface Mount
Kılıf / Paket
64-LBGA
Common Flash Interface
YES
Memory Interface
Parallel
Word Size
16b
Besleme Gerilimi
3V
Montaj
Surface Mount
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Access Time
100ns
Kurşunsuz
Lead Free
Parça Durumu
Active
Seri
GL-S
Memory Types
Non-Volatile
Write Cycle Time Word Page
60ns
Radyasyon Dayanımı
No
Terminal Sayısı
64
ECCN Kodu
3A991.B.1.A
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
40
Memory Width
8
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Fonksiyon Sayısı
1
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Toggle Bit
YES
Boot Block
BOTTOM/TOP
Page Size
32B
JESD-609 Kodu
e1
Pin Sayısı
64
Memory Size
512Mb 32M x 16
Data Polling
YES
Terminal Adımı
1mm
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Standby Currentmax
0.0001A
Data Bus Width
16b
Maks. Oturma Yüksekliği
1.4mm
Command User Interface
YES
Reach Svhc
No SVHC
Fabrika Tedarik Süresi
13 Weeks

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek