+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
S29GL512S10DHA023

Cypress Semiconductor Corp

S29GL512S10DHA023

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

HTS Kodu
8542.32.00.51
Memory Density
536870912 bit
Access Time
100ns
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Besleme Gerilimi
3V
Memory Interface
Parallel
Kılıf / Paket
64-LBGA
Genişlik
9mm
Montaj Tipi
Surface Mount
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
NOT SPECIFIED
Programming Voltage
3V
Terminal Sayısı
64
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Write Cycle Time Word Page
60ns
Memory Types
Non-Volatile
Seri
GL-S
Parça Durumu
Active
Uzunluk
9mm
Usage Level
Automotive grade
Fonksiyon Sayısı
1
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Memory Width
8
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
NOT SPECIFIED
Yayın Yılı
2015
Operating Mode
ASYNCHRONOUS
Screening Level
AEC-Q100
Memory Format
FLASH
Fabrika Tedarik Süresi
13 Weeks
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
Maks. Oturma Yüksekliği
1.4mm
Yüzey Montaj
YES
Pin Sayısı
64
Memory Size
512Mb 32M x 16
Terminal Adımı
1mm

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek