+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
S29GL512P11TAI010

Cypress Semiconductor Corp

S29GL512P11TAI010

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Toggle Bit
YES
Access Time Max
110 ns
JESD-609 Kodu
e0
Page Size
8/16words
Memory Width
1
ECCN Kodu
3A991.B.1.A
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Fonksiyon Sayısı
1
Power Supplies
3/3.3V
Contact Plating
Lead, Tin
Terminal Adımı
0.5mm
Data Polling
YES
Memory Size
512Mb 32M x 16
Supply Currentmax
0.11mA
Pin Sayısı
56
Standby Currentmax
0.000005A
Maks. Oturma Yüksekliği
1.2mm
Command User Interface
YES
Terminal Pozisyonu
DUAL
Besleme Gerilimi
3V
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Montaj
Surface Mount
Programming Voltage
3V
Ambalaj
Tray
Density
512 Mb
Montaj Tipi
Surface Mount
Kılıf / Paket
56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
Common Flash Interface
YES
Memory Interface
Parallel
Radyasyon Dayanımı
No
Terminal Sayısı
56
Parça Durumu
Obsolete
Seri
GL-P
Memory Types
Non-Volatile
Write Cycle Time Word Page
110ns
Number Of Sectorssize
512
Uzunluk
18.4mm
Yayın Yılı
2009
Organization
512MX1

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek