+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
S29GL512P10TFCR10

Cypress Semiconductor Corp

S29GL512P10TFCR10

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Alternate Memory Width
8
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Supply Voltagemin Vsup
3V
Readybusy
YES
HTS Kodu
8542.32.00.51
Operating Supply Voltage
3.3V
Syncasync
Asynchronous
Nominal Supply Current
110mA
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
Memory Format
FLASH
Sector Size
128K
Organization
512MX1
Yayın Yılı
2003
Number Of Sectorssize
512
Uzunluk
18.4mm
Memory Types
Non-Volatile
Write Cycle Time Word Page
100ns
Kurşunsuz
Lead Free
Parça Durumu
Obsolete
Seri
GL-P
Terminal Sayısı
56
Radyasyon Dayanımı
No
Common Flash Interface
YES
Kılıf / Paket
56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
Memory Interface
Parallel
Programming Voltage
3V
Ambalaj
Tray
Density
512 Mb
Montaj Tipi
Surface Mount
Montaj
Surface Mount
Besleme Gerilimi
3V~3.6V
Besleme Gerilimi
3.3V
Terminal Pozisyonu
DUAL
Standby Currentmax
0.000005A
Data Bus Width
8b
Maks. Oturma Yüksekliği
1.2mm
Command User Interface
YES
Pin Sayısı
56
Terminal Adımı
0.5mm
Data Polling
YES

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek