Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Types
- Non-Volatile
- Write Cycle Time Word Page
- 110ns
- Parça Durumu
- Obsolete
- Seri
- GL-N
- Terminal Sayısı
- 56
- Alternate Memory Width
- 8
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Kılıf / Paket
- 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
- Memory Interface
- Parallel
- Genişlik
- 14mm
- Programming Voltage
- 3V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Density
- 512 Mb
- Ambalaj
- Tray
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Montaj
- Surface Mount
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Syncasync
- Asynchronous
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Nominal Supply Current
- 90mA
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Pin Sayısı
- 56
- Memory Size
- 512Mb 64M x 8 32M x 16
- Terminal Adımı
- 0.5mm
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Memory Format
- FLASH
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Organization
- 32MX16
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Memory Width
- 16
- Access Time Max
- 110 ns
- JESD-609 Kodu
- e3
- Uzunluk
- 18.4mm
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory