Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Size
- 256Mb 16M x 16
- Terminal Adımı
- 0.5mm
- Yüzey Montaj
- YES
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Operating Mode
- ASYNCHRONOUS
- Screening Level
- AEC-Q100
- Memory Format
- FLASH
- Memory Width
- 8
- Yayın Yılı
- 2017
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Organization
- 32MX8
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Usage Level
- Automotive grade
- Uzunluk
- 18.4mm
- Seri
- GL-S
- Parça Durumu
- Active
- Write Cycle Time Word Page
- 60ns
- Memory Types
- Non-Volatile
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Terminal Sayısı
- 56
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Ambalaj
- Tray
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Programming Voltage
- 3V
- Genişlik
- 14mm
- Memory Interface
- Parallel
- Kılıf / Paket
- 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G56
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Access Time
- 90ns
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- HTS Kodu
- 8542.32.00.51
- Memory Density
- 268435456 bit
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory