+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
S29GL256S10DHB020

Cypress Semiconductor Corp

S29GL256S10DHB020

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Uzunluk
9mm
Memory Width
8
Yayın Yılı
2015
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
NOT SPECIFIED
Fonksiyon Sayısı
1
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~105°C TA
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Organization
32MX8
Operating Mode
ASYNCHRONOUS
Memory Format
FLASH
Fabrika Tedarik Süresi
13 Weeks
Pin Sayısı
64
Yüzey Montaj
YES
Terminal Adımı
1mm
Memory Size
256Mb 16M x 16
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
Maks. Oturma Yüksekliği
1.4mm
Besleme Gerilimi
3V
HTS Kodu
8542.32.00.51
Memory Density
268435456 bit
Access Time
100ns
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Montaj Tipi
Surface Mount
Ambalaj
Tray
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
NOT SPECIFIED
Programming Voltage
3V
Memory Interface
Parallel
Kılıf / Paket
64-LBGA
Genişlik
9mm
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Terminal Sayısı
64
Seri
Automotive, AEC-Q100, GL-S
Parça Durumu
Active
Write Cycle Time Word Page
60ns
Memory Types
Non-Volatile

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek