Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$0.75
- 10+ adet$0.71
- 100+ adet$0.67
- 500+ adet$0.63
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Readybusy
- YES
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- HTS Kodu
- 8542.32.00.51
- Syncasync
- Asynchronous
- Nominal Supply Current
- 110mA
- Alternate Memory Width
- 8
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Yayın Yılı
- 2015
- Uzunluk
- 18.4mm
- Number Of Sectorssize
- 256
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Memory Format
- FLASH
- Sector Size
- 128K
- Memory Interface
- Parallel
- Common Flash Interface
- YES
- Kılıf / Paket
- 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Density
- 256 Mb
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Programming Voltage
- 3V
- Montaj
- Surface Mount
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Memory Types
- Non-Volatile
- Write Cycle Time Word Page
- 100ns
- Seri
- GL-P
- Parça Durumu
- Active
- Terminal Sayısı
- 56
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- ECCN Kodu
- 3A991.B.1.A
- Memory Width
- 1
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Page Size
- 8/16words
- JESD-609 Kodu
- e3
- Access Time Max
- 100 ns
- Toggle Bit
- YES
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory