Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$9.70
- 10+ adet$9.15
- 100+ adet$8.63
- 500+ adet$8.14
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Nominal Supply Current
- 110mA
- Syncasync
- Asynchronous
- HTS Kodu
- 8542.32.00.51
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Readybusy
- YES
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Alternate Memory Width
- 8
- Number Of Sectorssize
- 256
- Uzunluk
- 13mm
- Yayın Yılı
- 2012
- Organization
- 256MX1
- Memory Format
- FLASH
- Sector Size
- 128K
- Terminal Kaplaması
- Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Montaj
- Surface Mount
- Programming Voltage
- 3V
- Ambalaj
- Tray
- Density
- 256 Mb
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Common Flash Interface
- YES
- Kılıf / Paket
- 64-LBGA
- Memory Interface
- Parallel
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Terminal Sayısı
- 64
- Parça Durumu
- Active
- Seri
- GL-P
- Memory Types
- Non-Volatile
- Write Cycle Time Word Page
- 100ns
- Toggle Bit
- YES
- Access Time Max
- 100 ns
- JESD-609 Kodu
- e1
- Page Size
- 8/16words
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Memory Width
- 1
- ECCN Kodu
- 3A991.B.1.A
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory