+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
S29GL256N10TFI010

Cypress Semiconductor Corp

S29GL256N10TFI010

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Alternate Memory Width
8
REACH Uyumluluk Kodu
compliant
Memory Types
Non-Volatile
Jesd30 Code
R-PDSO-G56
Genişlik
14mm
Seri
GL-N
Ambalaj
Tray
Parça Durumu
Active
Organization
16MX16
Memory Density
268435456 bit
Yüzey Montaj
YES
JESD-609 Kodu
e3
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
Yayın Yılı
2016
RoHS Durumu
RoHS Compliant
Uzunluk
18.4mm
Fabrika Tedarik Süresi
8 Weeks
Programming Voltage
3V
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
Terminal Sayısı
56
Terminal Kaplaması
Matte Tin (Sn)
Besleme Gerilimi
3V
Fonksiyon Sayısı
1
Kılıf / Paket
56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
Memory Width
16
Memory Format
FLASH
Terminal Adımı
0.5mm
Maks. Oturma Yüksekliği
1.2mm
Montaj Tipi
Surface Mount
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Operating Mode
ASYNCHRONOUS
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Memory Size
256Mb 32M x 8 16M x 16
Terminal Pozisyonu
DUAL
Access Time Max
100 ns
Memory Interface
Parallel
Write Cycle Time Word Page
100ns

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek