Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Types
- Non-Volatile
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Alternate Memory Width
- 8
- Ambalaj
- Tray
- JESD-609 Kodu
- e3
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- HTS Kodu
- 8542.32.00.51
- Page Size
- 8/16words
- Programming Voltage
- 3V
- Pin Sayısı
- 56
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Terminal Sayısı
- 56
- Nominal Supply Current
- 50mA
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Memory Width
- 16
- Terminal Adımı
- 0.5mm
- Command User Interface
- YES
- Standby Currentmax
- 0.000005A
- Data Bus Width
- 16b
- Common Flash Interface
- YES
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Sector Size
- 64K
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Boot Block
- BOTTOM/TOP
- Memory Interface
- Parallel
- Seri
- GL-N
- Number Of Sectorssize
- 128
- Parça Durumu
- Active
- Contact Plating
- Tin
- Organization
- 4MX16
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Yayın Yılı
- 2008
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Uzunluk
- 18.4mm
- Montaj
- Surface Mount
- Readybusy
- YES
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory