Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Seri
- GL-N
- Number Of Sectorssize
- 64
- Organization
- 2MX16
- Parça Durumu
- Active
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Yayın Yılı
- 2003
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Uzunluk
- 18.4mm
- Montaj
- Surface Mount
- Readybusy
- YES
- Terminal Kaplaması
- MATTE TIN
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Kılıf / Paket
- 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
- Power Supplies
- 3/3.3V
- Memory Format
- FLASH
- Syncasync
- Asynchronous
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Memory Size
- 32Mb 4M x 8 2M x 16
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Data Polling
- YES
- Density
- 32 Mb
- Toggle Bit
- YES
- Write Cycle Time Word Page
- 90ns
- Access Time Max
- 90 ns
- Memory Types
- Non-Volatile
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Alternate Memory Width
- 8
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- JESD-609 Kodu
- e3
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- HTS Kodu
- 8542.32.00.51
- Page Size
- 8/16words
- Programming Voltage
- 3V
- Pin Sayısı
- 56
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Terminal Sayısı
- 56
- ECCN Kodu
- 3A991.B.1.A
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory