Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$2.24
- 10+ adet$2.11
- 100+ adet$1.99
- 500+ adet$1.88
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- JESD-609 Kodu
- e3
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Alternate Memory Width
- 8
- Memory Types
- Non-Volatile
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Ambalaj
- Tray
- Pin Sayısı
- 56
- ECCN Kodu
- 3A991.B.1.A
- Terminal Sayısı
- 56
- Besleme Gerilimi
- 3V
- HTS Kodu
- 8542.32.00.51
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Programming Voltage
- 3V
- Page Size
- 8/16words
- Memory Width
- 16
- Terminal Adımı
- 0.5mm
- Command User Interface
- YES
- Standby Currentmax
- 0.000005A
- Nominal Supply Current
- 50mA
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Sector Size
- 64K
- Memory Interface
- Parallel
- Boot Block
- BOTTOM/TOP
- Data Bus Width
- 16b
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Besleme Gerilimi
- 1.65V~3.6V
- Common Flash Interface
- YES
- Parça Durumu
- Active
- Organization
- 2MX16
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Yayın Yılı
- 2003
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Number Of Sectorssize
- 64
- Seri
- GL-N
- Montaj
- Surface Mount
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Terminal Kaplaması
- MATTE TIN
- Readybusy
- YES
- Uzunluk
- 18.4mm
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory