Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$2.16
- 10+ adet$2.04
- 100+ adet$1.92
- 500+ adet$1.81
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Ambalaj
- Tray
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Memory Types
- Non-Volatile
- Alternate Memory Width
- 8
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Yüzey Montaj
- YES
- JESD-609 Kodu
- e1
- Page Size
- 8/16words
- Programming Voltage
- 3V
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- HTS Kodu
- 8542.32.00.51
- Terminal Sayısı
- 64
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Supply Currentmax
- 0.05mA
- Pin Sayısı
- 64
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Standby Currentmax
- 0.000005A
- Terminal Adımı
- 1mm
- Command User Interface
- YES
- Memory Width
- 16
- Common Flash Interface
- YES
- Besleme Gerilimi
- 1.65V~3.6V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Boot Block
- BOTTOM/TOP
- Memory Interface
- Parallel
- Sector Size
- 64K
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Seri
- GL-N
- Number Of Sectorssize
- 64
- Genişlik
- 11mm
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Yayın Yılı
- 2017
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Parça Durumu
- Active
- Organization
- 2MX16
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Uzunluk
- 13mm
- Readybusy
- YES
- Terminal Kaplaması
- Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory