Adet bazlı fiyat
- 1+ adet$1.48
- 10+ adet$1.40
- 100+ adet$1.32
- 500+ adet$1.24
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Memory Interface
- Parallel
- Write Cycle Time Word Page
- 60ns
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.4mm
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Operating Mode
- ASYNCHRONOUS
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~105°C TA
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Memory Size
- 1Gb 64M x 16
- Memory Width
- 8
- Memory Format
- FLASH
- Terminal Adımı
- 1mm
- Access Time
- 110ns
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Kılıf / Paket
- 64-LBGA
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Terminal Sayısı
- 64
- Besleme Gerilimi
- 3V
- HTS Kodu
- 8542.32.00.51
- Uzunluk
- 9mm
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- Programming Voltage
- 3V
- Parça Durumu
- Active
- Memory Density
- 1073741824 bit
- Organization
- 128MX8
- Yüzey Montaj
- YES
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Memory Types
- Non-Volatile
- Genişlik
- 9mm
- Jesd30 Code
- S-PBGA-B64
- Ambalaj
- Tray
- Seri
- Automotive, AEC-Q100, GL-S
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory